Чишелешләр

ЧЫБЫКЛАРНЫ БӘЙЛӘҮ

БЕЛЕМ БАЗАСЫ ТУРЫНДА ФАКТ БИТЕ

Чыбыкларны бәйләү нәрсә ул?

Чыбыкларны тоташтыру - бу кечкенә диаметрлы йомшак металл чыбыкны туры килә торган металл өслеккә паяль, флюс кулланмыйча, кайбер очракларда 150 градустан югарырак җылылык кулланып беркетү ысулы. Йомшак металларга алтын (Au), бакыр (Cu), көмеш (Ag), алюминий (Al) һәм палладий-көмеш (PdAg) кебек эретмәләр һәм башкалар керә.

Микроэлектроника җыю кушымталары өчен чыбыкларны бәйләү ысулларын һәм процессларын аңлау.
Плиналы бәйләү ысуллары / процесслары: тасма, термозоник шар һәм ультратавышлы пиналы бәйләү
Чыбыкларны тоташтыру - җитештерү барышында интеграль схема (IC) яки охшаш ярымүткәргеч җайланма һәм аның җыелмасы яки рамкасы арасында үзара тоташулар ясау ысулы. Ул хәзерге вакытта литий-ионлы батарея җыелмаларында электр тоташуларын тәэмин итү өчен дә еш кулланыла. Чыбыкларны тоташтыру, гадәттә, микроэлектрон тоташтыру технологияләре арасында иң экономияле һәм сыгылмалы дип санала һәм бүгенге көндә җитештерелә торган күпчелек ярымүткәргеч җыелмаларда кулланыла. Чыбыкларны тоташтыруның берничә ысулы бар, алар арасында түбәндәгеләр бар: Термо-компрессия Чыбыкларны тоташтыру:
Термокомпрессияле чыбык бәйләү (гадәттә 300°C тан артык югары температуралы кысу көче астында ихтимал өслекләргә (гадәттә Au) кушылып, эретеп ябыштыру ясау) башта 1950 елларда микроэлектроника тоташтырулары өчен эшләнгән, ләкин ул тиз арада 60 нчы елларда доминант тоташтыру технологиясе буларак УЗИ һәм Термозоник бәйләнеш белән алыштырылды. Термокомпрессияле бәйләнеш бүгенге көндә дә ниша кушымталарында кулланыла, ләкин җитештерүчеләр, гадәттә, уңышлы бәйләнеш булдыру өчен кирәкле югары (еш кына зыянлы) интерфейс температурасы аркасында аннан баш тарталар. УЗИ белән сына чыбык бәйләү:
1960-нчы елларда УЗИ пычкылы тоташтыру өстенлекле тоташтыру методологиясенә әйләнде. Бер үк вакытта кысу көче белән тоташтыру коралына югары ешлыклы тибрәнү (резонанслы үзгәрткеч аша) куллану алюминий һәм алтын чыбыкларны бүлмә температурасында эретеп ябыштырырга мөмкинлек бирде. Бу УЗИ тибрәнү тоташтыру циклы башында тоташтыру өслекләреннән пычраткыч матдәләрне (оксидлар, катнашмалар һ.б.) бетерүгә һәм бәйләнешне алга таба үстерү һәм ныгыту өчен интерметалл үсешне стимуллаштыруга ярдәм итә. Тоташтыру өчен типик ешлыклар 60 – 120 кГц. УЗИ пычкылы техникасының ике төп процесс технологиясе бар: >100 мкм диаметрлы чыбыклар өчен зур (авыр) чыбык тоташтыру <75 мкм диаметрлы чыбыклар өчен нечкә (кечкенә) чыбык тоташтыру Гадәти УЗИ тоташтыру циклларына мисалларны нечкә чыбык өчен монда һәм зур чыбык өчен монда табарга мөмкин. УЗИ пычкылы тоташтыруда гадәттә вольфрам карбидыннан (алюминий чыбык өчен) яки титан карбидыннан (алтын чыбык өчен) ясалган махсус тоташтыру коралы яки "пычкы" кулланыла, бу процесс таләпләренә һәм чыбык диаметрларына карап була; Төрле кушымталар өчен керамик очлы клиналар да бар. Термосоник чыбыкларны берләштерү:
Өстәмә җылыту кирәк булганда (гадәттә 100 – 250°C диапазонындагы тоташтыру интерфейслары булган Алтын чыбык өчен), бу процесс Термосоник чыбык тоташтыру дип атала. Бу традицион термокомпрессия системасына караганда зур өстенлекләргә ия, чөнки интерфейс температурасы күпкә түбәнрәк (бүлмә температурасында Au тоташтыру турында әйтелгән, ләкин гамәлдә өстәмә җылылыксыз ул ышанычсыз). Термосоник шар тоташтыру:
Термосоник чыбык бәйләүнең тагын бер төре - Шар бәйләү (шар бәйләү циклын монда карагыз). Бу методология термокомпрессия һәм ультратавыш бәйләүдәге иң яхшы сыйфатларны кимчелекләрсез берләштерү өчен традицион пычкы конструкцияләре өстендә керамик капилляр бәйләү коралын куллана. Термосоник тибрәнү интерфейс температурасының түбән булуын тәэмин итә, ә беренче тоташтыру, термик рәвештә кысылган шар бәйләү чыбыкны һәм икенчел бәйләнешне беренче тоташу белән бер сызыкта түгел, теләсә нинди юнәлештә урнаштырырга мөмкинлек бирә, бу Ультратавыш чыбык бәйләүдә чикләү булып тора. Автоматик, зур күләмдә җитештерү өчен шар бәйләүчеләр Ультратавыш / Термосоник (Пычкы) бәйләүчеләргә караганда күпкә тизрәк, бу термосоник шар бәйләүне соңгы 50+ ел эчендә микроэлектроникада өстенлек итүче тоташтыру технологиясе итә. Тасма бәйләү:
Яссы металл тасмалар кулланып тасмалар белән бәйләү дистә еллар дәвамында радиоешлыклы һәм микродулкынлы электроникада өстенлек итә (тасма традицион түгәрәк чыбык белән чагыштырганда сигнал югалтуны [тире эффектын] сизелерлек яхшырта). Гадәттә 75 мкм киңлектәге һәм 25 мкм калынлыктагы кечкенә алтын тасмалар термосоник процесс аша зур яссы өслекле пневматик бәйләү коралы белән бәйләнә. 2000 мкм киңлектәге һәм 250 мкм калынлыктагы алюминий тасмалар шулай ук ​​​​Ультратавышлы пневматик процесс белән бәйләнергә мөмкин, чөнки түбән элмәкле, югары тыгызлыклы тоташтыруларга ихтыяҗ арткан.

Алтын бәйләүче чыбык нәрсә ул?

Алтын чыбык белән бәйләү - алтын чыбыкны җыелманың ике ноктасына тоташтыру яки электр үткәрүче юл булдыру процессы. Алтын чыбык өчен бәйләү нокталарын булдыру өчен җылылык, ультратавыш һәм көч кулланыла. Беркетү ноктасын булдыру процессы чыбык бәйләү коралының, капиллярның очында алтын шар формалаштырудан башлана. Бу шар җылытылган җыелма өслегенә басыла, шул ук вакытта куллануга бәйле көч күләмен һәм корал белән 60 кГц - 152 кГц ультратавыш хәрәкәте ешлыгын куллана. Беренче бәйләү ясалганнан соң, җыелманың геометриясе өчен тиешле элмәк формасын булдыру өчен чыбык белән ныклы контрольдә тотылган ысул белән манипуляция ясалачак. Икенче бәйләү, еш кына тегү дип атала, аннары икенче өслектә чыбык белән басып һәм чыбыкны бәйләү урыныннан өзеп, кыскыч кулланып формалаштырыла.

Алтын чыбык белән бәйләү югары электр үткәрүчәнлеге булган, кайбер чыбыкларга караганда берникадәр зуррак булган пакетлар эчендә тоташтыру ысулын тәкъдим итә. Моннан тыш, алтын чыбыклар башка чыбык материаллары белән чагыштырганда югары оксидлашуга чыдамлылыкка ия ​​һәм күпчелек чыбыкларга караганда йомшакрак, бу сизгер өслекләр өчен бик мөһим.
Процесс шулай ук ​​җыю ихтыяҗларына карап үзгәрергә мөмкин. Сизгер материаллар белән, компонент өслегенә зыян китермәс өчен, ныграк һәм "йомшаграк" бәйләнеш булдыру өчен икенче тоташтыру өлкәсенә алтын шар урнаштырырга мөмкин. Тар урыннарда бер шар ике бәйләнеш өчен башлангыч нокта буларак кулланылырга мөмкин, "V" формасындагы бәйләнеш барлыкка китерә. Чыбык тоташтыруы ныграк булырга тиеш булганда, куркынычсызлык бәйләнеше булдыру өчен шарны тегү өстенә куярга мөмкин, бу чыбыкның тотрыклылыгын һәм ныклыгын арттыра. Чыбык тоташтыруның күп төрле кулланылышлары һәм вариантлары чиксез диярлек һәм Palomar'ның чыбык тоташтыру системаларында автоматлаштырылган программа тәэминатын куллану аша ирешеп була.